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IR针对工业应用推出具有超低导通电阻的75VMOSFET万芳

发布时间:2020-02-14 11:44:39 阅读: 来源:柱塞阀厂家

IR针对工业应用推出具有超低导通电阻的75V MOSFET

全新75V StrongIRFET功率MOSFET系列配备可提升低频应用性能的超低导通电阻 (RDS(on)) 、极高的载流能力、软体二极管,以及有助于提高抗噪性的3V典型阀值电压。该系列的每款器件都完全通过业界最高雪崩电流级别的雪崩测试,能够为要求严格的工业应用提供最坚固耐用的解决方案。新组件都采用穿孔式封装。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR 的75V StrongIRFET器件系列具有超低导通电阻,而且完全通过严格的行业级雪崩测试,以确保产品坚固耐用。新组件提供基准性能MOSFET以供选择,旨在为工业市场作出优化。”

规格

采用穿孔式封装的75V StrongIRFET

器件编号25 C下的ID (A)VGS为10V时的VGS为10V时的封装最大导通电阻 (m )Qg(nC)IRFP77181951.8552TO-247ACIRFB77301742.6271TO-220ABIRFB77341303.5180TO-220ABIRFB7740627.381TO-220ABIRFB7787768.473TO-220ABIRFB77464210.655TO-220AB

产品现正接受批量订单。相关数据及SPICE模型,请浏览IR的网站http://www.irf.com。

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